类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 最大rds | 电容-输入 | 产品类别 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | DMC21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | 数据表 | 80000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 6-SMD, No Lead | 455mA Ta 328mA Ta | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | 300mW | N and P-Channel | 990m Ω @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ω @ 100mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 31pF @ 15V 28.5pF @ 15V | 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V | 20V | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMA5133 | Sanken | 数据表 | 124 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 通孔 | 通孔 | 12-SIP | SILICON | 6 | Tube | 2012 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 12 | R-PSIP-T12 | 不合格 | COMPLEX | 增强型MOSFET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) | 500V | N-CHANNEL | 2.5A | 2Ohm | 500V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDR8702H | ON Semiconductor | 数据表 | 203944 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-LSOP (0.130, 3.30mm Width) | 8 | 3.6A 2.6A | 26 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 800mW | 3.6A | 800mW | N and P-Channel | 38m Ω @ 3.6A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 650pF @ 10V | 10nC @ 4.5V | 11ns | 2.6A | 8V | 20V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6P47NU,LF(T | Toshiba | 数据表 | 1800 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 1W | Tape & Reel (TR) | 2014 | 20V | 4A | 95 mΩ | 290pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLA5074 | Sanken | 数据表 | 35000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 通孔 | 通孔 | 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads | SILICON | 4 | 150°C TJ | Tube | 2001 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 4.8W | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 15 | R-PSFM-T15 | 不合格 | 2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | 4.8W | 4 N-Channel (Half Bridge) | SWITCHING | 300m Ω @ 3A, 4V | 2V @ 250μA | 320pF @ 10V | 60V | P-CHANNEL | 5A | 5A | 0.3Ohm | 8A | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSM3911DCX6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | 数据表 | 54107 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | SOT-23-6 | 2.2A Ta | -55°C~150°C TJ | Digi-Reel® | 2015 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 1.15W | 2 P-Channel (Dual) | 140m Ω @ 2.2A, 4.5V | 950mV @ 250μA | 882.51pF @ 6V | 15.23nC @ 4.5V | 20V | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N06S3L-23 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | 8 | SILICON | 2 | 40 ns | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | OptiMOS™ | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 哑光锡 | 逻辑电平兼容 | 45W | FLAT | 260 | 40 | *PG20N06 | 8 | R-PDSO-F6 | 不合格 | Dual | 增强型MOSFET | 45W | DRAIN | 2 N-Channel (Dual) | 23m Ω @ 16A, 10V | 2.2V @ 20μA | 2950pF @ 25V | 42nC @ 10V | 35ns | 55V | 75 ns | 20A | 16V | 33A | 0.023Ohm | 55V | 110 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | 76 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | unknown | SSM6P41 | 150mW | 2 P-Channel (Dual) | 300m Ω @ 400mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 110pF @ 10V | 1.76nC @ 4.5V | 20V | 720mA | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8K52FRATB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 50000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 3A Ta | 2 | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2016 | Automotive, AEC-Q101 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 170m Ω @ 3A, 10V | 2.5V @ 1mA | 610pF @ 25V | 8.5nC @ 5V | 100V | 3A | 0.19Ohm | 12A | 100V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4812L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 9000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2011 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2W | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 30m Ω @ 6A, 10V | 2.4V @ 250μA | 310pF @ 15V | 6.3nC @ 10V | 30V | 6A | Standard | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON6932 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | 8 | 22A 36A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4.3W | 3.6W 4.3W | 2 N-Channel (Half Bridge) | 5m Ω @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 1037pF @ 15V | 22nC @ 10V | 30V | 36A | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | 8855 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 2 | 15 ns | Cut Tape (CT) | 2010 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 175°C | -55°C | 2.4W | IRF7103QPBF | 增强型MOSFET | 2.4W | 5.1 ns | 2 N-Channel (Dual) | 130m Ω @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 255pF @ 25V | 15nC @ 10V | 1.7ns | 50V | 2.3 ns | 3A | 20V | 3A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMDF2N02ER2G | ON Semiconductor | 数据表 | 18875 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2 | 27 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 逻辑电平兼容 | 25V | 2W | 鸥翼 | 260 | unknown | 2A | 40 | 8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 100m Ω @ 2.2A, 10V | 3V @ 250μA | 532pF @ 16V | 30nC @ 10V | 17ns | 18 ns | 3.6A | 20V | 0.1Ohm | 25V | 245 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMGD7N45SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | 629 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 17 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SILICON | 500mA Ta | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | Automotive, AEC-Q101 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | HIGH RELIABILITY | 1.64W | 鸥翼 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 4 Ω @ 400mA, 10V | 4.5V @ 1mA | 256pF @ 25V | 6.9nC @ 10V | 450V | 500mA | 0.5A | 4Ohm | 2.2A | 450V | 56 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8M13GZETB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 5000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 6A 7A | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 2W | N and P-Channel | 29m Ω @ 7A, 10V | 2.5V @ 1mA | 1200pF @ 10V | 18nC @ 5V | 30V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | 数据表 | 9200 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SILICON | 1 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 哑光锡 | 100V | 1.25W | 鸥翼 | 260 | 2.1A | 40 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 250m Ω @ 3.2A, 10V | 2V @ 250μA (Min) | 405pF @ 50V | 7.7nC @ 10V | 100V | 1.6A | 0.25Ohm | 9A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMD4N03R2 | ON SEMICONDUCTOR | 数据表 | 188 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | [object Object] | YES | 8 | SILICON | 2 | 150°C | e0 | no | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin/Lead (Sn80Pb20) | DUAL | 鸥翼 | 240 | not_compliant | 30 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | 4A | 0.06Ohm | 12A | 30V | 80 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2W | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7325PBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 7.8A | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | IRF7325PBF | 2W | 2 P-Channel (Dual) | 24m Ω @ 7.8A, 4.5V | 900mV @ 250μA | 2020pF @ 10V | 33nC @ 4.5V | 12V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON6974A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 1458 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | 8 | 8-DFN (5x6) | 22A 30A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | SRFET™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 4.3W | 3.6W 4.3W | 2 N-Channel (Half Bridge) | 5.2mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 1037pF @ 15V | 22nC @ 10V | 30V | 30A | 1.037nF | 逻辑电平门 | 5.2 mΩ | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VMM90-09F | IXYS | 数据表 | 886 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 28 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | Y3-Li | 9 | SILICON | 2 | -40°C~150°C TJ | Bulk | 2005 | HiPerFET™ | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | UPPER | UNSPECIFIED | VMM | 增强型MOSFET | ISOLATED | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 76m Ω @ 65A, 10V | 5V @ 30mA | 960nC @ 10V | 900V | 85A | 20V | 0.076Ohm | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NP29N04QUK-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-PowerLDFN | 8-HSON (5x5.4) | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | 30A (Tc) | 40 V | 4 V | 44 W | N-Channel | + 175 C | - 20 V, + 20 V | SMD/SMT | Enhancement | 19 nC | 10.1 mOhms | 30 A | 175°C | Automotive, AEC-Q101 | Si | 1 Channel | 1W (Ta), 44W (Tc) | 2 N-Channel (Dual) | 10.1mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250μA | 1500pF @ 25V | 29nC @ 10V | 40V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
QH8KA3TCR | Rohm Semiconductor | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | TSMT8 | 活跃 | 9A (Ta) | 表面贴装 | 无 | 2 | Enhancement | ±20(V) | -55C to 150C | TSMT | Military | 30(V) | Rohm Semiconductor | 9(A) | MSL 1 - Unlimited | - | N通道 | 9A | 30 V | 8 ns | 2.5 V | 2.6 W | + 150 C | - 20 V, + 20 V | - 55 C | 3000 | SMD/SMT | ROHM 半导体 | ROHM 半导体 | 15.5 nC | 16 mOhms | Details | 33 ns | 9 A | 150°C (TJ) | 卷带 | - | 小信号 | MOSFETs | Si | 8 | N | Dual | 2 Channel | 2.6(W) | 1.5W (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 16mOhm @ 9A, 10V | 2.5V @ 1mA | 640pF @ 15V | 15.5nC @ 10V | 19 ns | 30V | MOSFET | N通道 | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RQM2201DNS#P0 | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-WDFN Exposed Pad | 6-HWSON (3x3) | Renesas | Bulk | Obsolete | 2A (Ta) | 150°C | - | 1.5W (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 225mOhm @ 1A, 4.5V | 1.4V @ 1mA | 200pF @ 10V | 2.4nC @ 4.5V | 60V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN3032LFDBWQ-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-UDFN Exposed Pad | U-DFN2020-6 (SWP) Type B | Diodes Incorporated | Tape & Reel (TR) | - | AEC-Q101 | N通道 | 5.5A | 10000 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | 活跃 | 5.5A (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | Si | 820mW | 2 N-Channel (Dual) | 30mOhm @ 5.8A, 10V | 2V @ 250μA | 500pF @ 15V | 10.6nC @ 10V | 30V | MOSFET | N通道 | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMTH6015LDVWQ-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | PowerDI3333-8 (Type UXD) | Diodes Incorporated | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 9.2A (Ta), 24.5A (Tc) | 3000 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | 1.46W (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 20.5mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250μA | 825pF @ 30V | 14.3nC @ 10V | 60V | MOSFET | Standard | MOSFET |
DMC21D1UDA-7B
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.456477
SMA5133
Sanken
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
28.940359
FDR8702H
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8.770373
SSM6P47NU,LF(T
Toshiba
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SLA5074
Sanken
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
28.435332
TSM3911DCX6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
7.853056
IPG20N06S3L-23
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SSM6P41FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.779382
SP8K52FRATB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
10.214365
AO4812L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AON6932
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF7103QTRPBF
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MMDF2N02ER2G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
15.425882
SH8M13GZETB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ZXMN10A08DN8TC
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTMD4N03R2
ON SEMICONDUCTOR
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF7325PBF
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AON6974A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
VMM90-09F
IXYS
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NP29N04QUK-E1-AY
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
QH8KA3TCR
Rohm Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RQM2201DNS#P0
Renesas
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN3032LFDBWQ-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMTH6015LDVWQ-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
